SiC(碳化硅)是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料,可制作出性能更加優異的高溫、高頻、高功率、高速度、抗輻射器件?;?/span> SiC 的 IGBT 綜合了GTR(電力晶體管)和 MOSFET(金屬氧化物場效應晶體管)的優點,具有較大的通流能力。目前已有實驗證明,使用 SiC 混合的 IGBT 與普通 IGBT 相比,功耗約減小 30%,開關頻率的提高也有效降低了輸出諧波,減小了電機脈動轉矩,使整個系統效率提高?;?/span> SiC 的新型電力電子器件的研發將成為未來一個主要發展方向。